TEM/EDS/EELS Analysis - Structural Analysis - 종합분석 서비스

장비소개

Transmission electron microscopy

시료의 내부 구조를 관찰하며, 원자 수준으로 이미지화 가능한 분석법

TEM은 가속된 전자빔을 100nm 이하의 두께로 제작된 샘플에 조사하여 투과 및 회절된 전자로부터 얻어지는 영상 및 회절 패턴을 활용하여 재료의 미세구조와 결정구조 분석이 가능한 장비이다. 장착된 EDS나 EELS를 이용하여 미소부위의 성분분석이 가능하다.

반도체 소자

LED 소자

배터리 재료

박막, 파우더 재료

Feature		Description
Function		TEM : BF/DF image, Diffraction STEM : BF/HAADF image EDS : Qualitative & Quantitative analysis
TEM	E gun source	CFEG(Cold Field Emission Gun)
	High Tension	30~200kV
	Energy resolution	0.4eV
	STEM resolution	60pm(@200kV), 136pm(@30kV)
	Corrector	Cs Probe Corrector
Accessory	EDS	Dual X-EDS Detector (100 mm × 2)
Application		재료 미세구조 분석 - 박막 두께 측정 - 적층 구조 관찰 - 결함 분석 재료 결정구조 분석 - 결정성, 결정 결함, 격자 변형 원소분석 - 화학조성, 원소 정성, 정량분석 - Point/Line scan/Mapping
QRT One-Stop Service		TEM analysis : within 72hrs after TEM sampling

Key Features	Description
One-Stop Service	TAT : within 72hrs after TEM sampling *Fast Track : to be planned
Real-Time Participation	Sharing TEM screen during TEM analysis with customer using high security online infra
Expert Guidance	Differentiated customer-friendly TEM analysis service

담당자

TEM 분석문의