기술 소개
FIB based Delayering 기술은 FIB를 이용하여 반도체 소자 및 패키지 구조에서 특정 층을 선택적으로 제거함으로써 하부 레이어의 구조 및 결함을 분석하는 기술입니다. Hydra FIB를 사용할 경우 기존 Ga FIB 대비 높은 식각 속도와 넓은 면적의 균일한 delayering이 가능하며 특정 영역에 대한 Cu delayering이 가능합니다. 이 기술은 물리적, 화학적 습식 delayering이 어려운 공정 구조에서도 적용 가능하며, 정밀한 위치 제어를 통해 site-specific delayering 을 구현할 수 있습니다.
기술 적용
BEOL 구조 및 Cu interconnection 분석
공정 불량 분석
Advanced Node & Complex Stack 구조 분석
Pad 형성
장비
-
Feature
Description
Model / Maker
Helios 5 Hydra / ThermoFisher Scientific
Function
Cross section analysis
TEM Lamella Preparation (Ga damage free)
FIB Delayering
SEM
SEM Resolution
At optimum WD : 0.7m @ 1kV, 1nm@500V
At coincident point : 0.6nm@15kV, 1.2nm@1kV
Ion
Ion bean current range
1.5pA to 2.5uA
Accelerating voltage range
500V~30kV
Ion species
Xe, Ar, O, N (Switching <10mins)
Accessory
EDS
Ultim Max 170 (170mm²)
Key benefits
Large area cross sectional analysis for 200µm x 200µm cross section
Ar : 45min
Xe : 1.5 hrs
Ga : 30 hrsO milling : cleaner and smoother cut faces
기술적용사례
