기술 소개
대면적 FIB 단면분석기술은 Hydra FIB를 이용해 반도체 소자 및 패키지 구조를 수백 u㎛대의 넓은 영역에 걸쳐 정밀하게 단면가공하고 이를 통해 내부 구조를 분석하는 기술입니다. Hydra FIB를 활용하면 기존 Ga FIB 대비 빠른 가공 속도로 수백 ㎛ 규모의 대면적 단면 분석이 가능합니다. 이를 통해 공정 불량, 구조적 결함, 공정 편차를 보다 효율적으로 확인 할 수 있습니다.
기술 적용
반도체 소자 구조 분석
패키지 어드밴스트 패키징 분석
공정 및 신뢰성 불량 분석
장비
-
Feature
Description
Model / Maker
Helios 5 Hydra / ThermoFisher Scientific
Function
Cross section analysis
TEM Lamella Preparation (Ga damage free)
FIB Delayering
SEM
SEM Resolution
At optimum WD : 0.7m @ 1kV, 1nm@500V
At coincident point : 0.6nm@15kV, 1.2nm@1kV
Ion
Ion bean current range
1.5pA to 2.5uA
Accelerating voltage range
500V~30kV
Ion species
Xe, Ar, O, N (Switching <10mins)
Accessory
EDS
Ultim Max 170 (170mm²)
Key benefits
Large area cross sectional analysis for 200µm x 200µm cross section
Ar : 45min
Xe : 1.5 hrs
Ga : 30 hrsO milling : cleaner and smoother cut faces
기술적용사례
