메인으로

열은 저항에 전류가 흐를 때 발생되며 주로 Metal과 관련된 불량에서 방출, 빛은 주로 Gate 관련 불량으로 Si(MOSFET) layer에서 방출되며 Optical Beam Induced Resistance Change는 Laser Heating에 의한 열기전력 발생 지점을 찾는 것입니다., 대표적인 불량으로는 Metal melting, Bridge short, Oxide crack, Metal particle, Migration, Contact spike, Source to Drain leakage, Gate leakage, oxidation breakdown, ESD failure, hot carrier 발생, latch up 등이 있습니다. Device에 전압을 인가하게 되면 불량이 아닌 영역에서 열이 발생되기 때문에 검출된 Thermal이 불량에 의한 Real spot인지 확인이 필요하기 때문에 Normal sample 과의 비교를 통해 검출된 Spot이 Normal spot, 혹은 Real spot 인가를 구분하여, 정확한 추가 분석이 진행될 수 있도록 확인해야 합니다. 해당 장비에는 Real spot을 증폭시켜주는 ‘Thermal Lock-In System’이 있다. Lock-In은 Input signal 일때 검출되는 Emission image만을 이용하는 것으로 Lock-In 을사용하면 Noise를 줄여 좀더 정확한 Real spot image를 얻을 수 있습니다.

Short-circuit of metal wirings, Abnormality of contact holes, Micro plasma leakage in oxide layer, Oxide layer breakdown TFT-LCD leakage/ Organic EL leakage localization, Observation of temperature abnormalities in devices under development process, Source to Drain Leakage, Junction Leakage, Oxidation Breakdown, ESD Failure, Hot Carrier Occurrence, Latch up occurred Point Detection