试验分析及设备应用服务

失效分析服务

电气配件失效分析

SEM (扫描电子显微镜:Scanning Electron Microscope)

扫描电子显微镜(SEM, Scanning electron microscope)用来扩大观察及分析试料微小部分。与以最高1,500倍率观察事物的光学显微镜相比,SEM能比它高80万的倍率观察试料,观测用试料制作起来简单,因此广泛使用于观察试料表面。并且以10~100的低倍率观察时也同样可以使用。在高倍率视界较窄,但在低倍率视界较宽,若要观察对象物的全体,低倍率更有效。因此在类似情况下常常采用低倍率观察。
SEM是一种分析设备,主要是检测并增大将电子Beam注射试料表面时,试料表面发射的2次电子(Secondary electron),在屏幕上将此做成显示表面高度的视频。此时可以利用安装在SEM设备内部的能源分散X射线能量色散谱(EDS, Energy dispersive X-ray spectroscope)分析试料的组成成分。

SEM (扫描电子显微镜 : Scanning Electron Microscope)

SEM 使用领域

  • 表面分析
  • 失效分析:Package、Die、PCB、SMT Level
  • 反向设计
  • 长度测量
  • VC Image
  • 成分分析:Point、Line、Mapping

EDS(能源分散X射线能量色散谱:Energy dispersive X-ray spectroscope)

能源分散X射线能量色散谱(EDS)是分析未知试料的化学成分的设备,利用P-i-n检测机检测并增大能源形态的特性X射线(Characteristic X-ray),将此显示为光谱形态。

EDS (能源分散X射线能量色散谱:Energy dispersive X-ray spectroscope)

EDS适用领域

  • 对杂志、污染部位的定性分析
  • Line成分分析方法
  • Mapping分析方法

Photon Emission Microscope (Photon 释放分析系统)

Photon emission microscope是对wafer或package状态的device施加电气信号,检测在不良位置发生的微弱photon的一种系统,一般检测device泄露电流及short不良位置时常用的设备。
对device注射IR laser beam解读模式后通过CCD camera或InGaAs camera确认形象,以此找出发生不良的部位。
通常检测leakage、oxidation breakdown、ESD failure、发生hot carrier、latch up等不良时使用。
Photon Emission Microscope (Photon 방출 분석 시스템)

Photon Emission Microscope 适用领域

  • Standby Current不良
  • Pin Leakage不良
  • ESD不良
  • 检测发生Latch up的Point

Thermal Emission Microscope(热发射分析系统)

Thermal emission microscope是对device施加电气信号,检测不良部位热度的一种系统,一般检测device泄露电流以及short不良位置时使用的设备。
对device注射IR laser beam解读模式后通过CCD camera或InSb camera确认形象,以此找出发生不良的部位。通常检测氧化膜microplasma泄露、氧化膜破坏(Oxide layer breakdown)、金属配线短路(Short circuit of Metallization)等不良现象时使用。
Thermal Emission Microscope (热发射分析系统)

Thermal Emission Microscope 适用领域

  • Metal 配线的 Short
  • Contact 的电阻异常
  • 氧化膜的 Microplasma Leakage
  • 氧化膜破坏
  • 观察Device内温度异常部位

Dye & Pry 分析(燃料渗透探伤分析)

该分析法对电子配件与printed circuit board之间的接合部分渗透燃料,确认是否存在缺陷,若有缺陷的话还能分析其位置和大小。
可以确认是否存在Solder joint crack及open不良现象。
Dye & Pry 分析 (燃料渗透探伤分析)

Dye & Pry 适用领域

  • 电子配件与PCB之间锡焊接合部位的皲裂
  • 电子配件与PCB之间锡焊接合部位的缺陷